在如今的半导体行业中，散热几乎可以说是除PPA（功耗、性能和面积）外最不能忽视一环。就拿移动SoC为例，芯片过热降频的问题影响着市面任何一款智能手机。
芯片的集成度虽然越来越高，但是整个电路功能的实现，还是离不开分离器件的搭配本文所介绍的功能，使用三极管也是可以的，但是实际应用中，多使用 MOS 管，故本文多以 MOS 管进行说明
引言：在常规使用中，似乎流经NMOS和PMOS的电流只朝一个方向流动，但实际情况是，MOS的电流流向和BJT不一样，BJT的电流流向已经固定，但是MOS并没有。本节不从物理结构上阐述其电流流向，主要探讨MOS的电流流向以及体二极管电流相关问题，为后续的电路设计夯实基础
简单讲解一下三极管，如果三极管工作在饱和区（完全导通），Rce≈0，Vce≈0.3V，且这个0.3V，我们就认为它直接接地了。那么就需要让Ib大于等于1mA，若Ib=1mA, Ic=100mA，它的放大倍数β=100，三极管完全导通。如下图，是一个NPN三极管
硅单向开关SUS(Silicon Unidirectional Switch)亦称单向触发晶体管，上继双向触发二极管（DIAC）之后发展起来的新型触发器件。三个引出端分别是阳极A，阴极K，门极G，比DIAC增加了门极
